پارس پروژه پرتال خدمات دانشگاهی
متن کامل مقاله موجود نیست
فهرست
پیشگفتار 1
فصل اول: ترابرد حامل ها
مقدمه 6
1-1 ساختار نوار رسانش سیلیسیوم 7
1-1-1 ساختار نواری (100)SI در لایه وارونی 8
1-2 گاز الکترون دو بعدی 9
1-3 چاه کوانتومی 11
1-4 ترابرد حامل 12
1-5 تحرک پذیری حامل 13
1-5-1 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های ضعیف 14
1-5-2 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های خیلی بالا 19
فصل دوم: فرمول بندی تحرک در میدانهای متوسط در نیم رساناهای چند لایه ای
مقدمه 27
2-1 تاریخچه ای از مطالعات انجام شده بر روی خصوصیات ترابرد2DEG در دماهای پایین 28
2-2 ویژگی های ترابرد در دماهای پایین شبکه 29
2-3 احتمال پراکندگی فونون اکوستیکی درون دره ای 30
2-4 محاسبه تحرک وابسته به میدان 34
2-4-1 خصوصیات تحرک میدان ضعیف در تقریب دمای مؤثر 34
2-4-2 فرمول بندی تحرک میدان ضعیف با استفاده از معادله ی بولتزمن 38
فصل سوم: نتایج و محاسبات
مقدمه 47
3-1 محاسبه تغییرات تحرک پذیری با فرض دمای مؤثر وابسته به میدان الکترون های غیر تعادلی 48
3-1-1 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در دماهای مختلف شبکه 48
3-1-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 51
3-1-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجارشده نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 53
3-1-4 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در غلظت-های مختلف 55
3-1-5 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های مختلف الکترونی 58
3-1-6 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 59
3-2 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 61
3-2-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در دماهای شبکه مختلف 61
3-2-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در دماهای مختلف شبکه 63
3-2-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 64
3-2-4 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 66
3-3 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی از حل معادله بولتزمن به روش عددی 67
3-3-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 68
3-3-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 69
3-4 مقایسه نتیجه تجربی با نتیجه از حاصل از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 71
3-5 بحث و نتیجه گیری 72
مراجع 75
فهرست شکل ها
شکل (1-1-الف): ساختار نوار رسانش Si 7
شکل (1-1-ب): سطح ثابت انرژی نوار رسانش Si با شش دره در جهت [100] در فضای ممنتم 8
شکل(1-2): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در مادفت ها 10
شکل (1-3): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در ماسفت ها 10
شکل (1-4): چاه کوانتومی منفرد 11
شکل (1-5): تحرک وابسته به دما در میدان های ضعیف 18
شکل (1-6):مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حاملهای غیر تعادلی در دماهای شبکه 13، 25، 40، 60، 77 و 100 کلوین در ناحیهی میدان خیلی بالا نمونه Si. 22
شکل (1-7): تحرک بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی بهنجار شده برای نمونه Si در دمای شبکه 13. خط پر تحرک محاسبه شده به وسیله ی لی و تینگ و نقاط مربوط به تحرک تجربی است 23
شکل (1-8): مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حامل غیر تعادلی در دمای شبکه 2/4 کلوین در ناحیه میدان قوی 24
شکل (2-1): وابستگی سرعت پراکندگی به انرژی حامل در دماهای شبکه متفاوت برای یک 2DEG در لایه(100) Si با . منحنی های a و b و c به ترتیب در دماهای 1و4و20 می-باشند. 33
شکل (3-1): نمایی از نمونه به کار گرفته شده برای انجام محاسبات 48
شکل(3-2): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 49
شکل (3-3): نمودار تغییرات میدان بر حسب دمای الکترون در Si(4) 49
شکل(3-4): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(2) 50
شکل(3-5): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(4) 50
شکل(3-6): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 52
شکل (3-7): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 52
شکل (3-8): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 53
شکل (3-9): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 54
شکل(3-10): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 56
شکل(3-11): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(4) 56
شکل(3-12): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب دمای الکترون در Si(2) 57
شکل(3-13): نمودار تغییرات تحرک بر حسب دمای الکترون در Si(4) 57
شکل (3-14): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 58
شکل (3-15): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 59
شکل(3-16): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 60
شکل(3-17): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 60
شکل (3-18): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 62
شکل (3-19): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 62
شکل (3-20): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی درSi(2) 63
شکل(3-21): نمودار تغییرات تحرکپذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 64
شکل (3-22): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 65
شکل (3-23): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 65
شکل(3-24): نمودار تغییرات تحرکپذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 66
شکل(3-25): نمودار تغییرات تحرکپذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 67
شکل (3-26): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 68
شکل (3-27): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 69
شکل (3-28): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 70
شکل (3-29): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 71
شکل(3-30): مقایسه مدل نظری با مدل تجربی. خط پر نتیجه حاصل از تئوری و نقاط توخالی نتیجه حاصل از تجربه در دمای K 13. 72