تعیین چگالی بارهای میانگاهی Ti/Si

کد محصول BR315

تعداد صفحات: ۱۵۰ صفحه فایل WORD

قیمت: ۱۶۰۰۰ تومان

دانلود فایل بلافاصله بعد از خرید

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده ۱
مقدمه  ۲
۱-۱ نیمه رسانا ۳
۱-۲ نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم ۴
۱-۳ جرم موثر ۴
۱-۴ نیمه رسانای ذاتی ۶
۱-۵ نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش ۷
۱-۶ نیمه رساناهای Si و Ge  ۱۰
۱-۷ رشد بلور  ۱۳
۱-۷-۱ رشد حجمی بلور ۱۵
۱-۷-۲ رشد رونشستی مواد ۱۵
۱-۷-۳ رونشستی فاز مایع  ۱۶
۱-۷-۴ رونشستی فاز بخار ۱۸
۱-۷-۵ رونشستی پرتو مولکولی  ۱۹
۱-۸ ساختارهای ناهمگون ۲۰
۱-۹ توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی ۲۱
۱-۱۰ انواع آلایش ۲۳
۱-۱۰-۱ آلایش کپه¬ای ۲۴
۱-۱۰-۲ آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی) ۲۴
۱-۱۰-۳ گاز الکترونی دوبعدی  ۲۵
۱-۱۰-۴ گاز حفره¬ای دوبعدی ۲۶
۱- ۱۱ ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده  ۲۷
۱-۱۱-۱ انواع ساختارهای دورآلاییده به¬¬لحاظ ترتیب رشد لایه¬ها  ۲۷
۱-۱۱-۲ انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) 28
۱-۱۱-۳ انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬دار ۲۹
۱-۱۲ کاربرد ساختارهای دور آلاییده ۳۳
۱-۱۲-۱ JFET 33
۱-۱۲-۲ MESFET  ۳۴
۱-۱۲-۳ MESFET پیوندگاه ناهمگون  ۳۵

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی) ۳۸
مقدمه  ۳۹
۲-۱ شرط ایده آل و حالتهای سطحی  ۴۱
۲-۲ لایه تهی  ۴۴
۲-۳ اثر شاتکی  ۴۷
۲-۴ مشخصه ارتفاع سد ۵۱
۲-۴-۱ تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد ۵۱
۲-۴-۲ اندازه گیری ارتفاع سد ۵۷
۲-۴-۳ اندازه گیری جریان – ولتاژ ۵۷
۲-۴-۴ اندازه گیری انرژی فعال سازی ۶۰
۲-۴-۵ اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت ۶۰
۲-۴-۶ تنظیم ارتفاع سد  ۶۲
۲-۴-۷ کاهش سد  ۶۲
۲-۴-۸ افزایش سد ۶۳
۲-۵ اتصالات یکسوساز .  ۶۴
۲-۶ سدهای شاتکی نمونه   ۶۴

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده ۶۶
مقدمه ۶۷
۳-۱ ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si . 68
۳-۲ ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si 69
۳-۳ محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده. ۷۱
۳-۳-۱ آلایش مدوله شده ایده¬آل ۷۱
۳-۳-۲ محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها  ۷۴
۳-۳-۳ اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ای  ۷۴
۳-۴ روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها  ۷۶
۳-۴-۱ تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها  ۷۷
۳-۴-۲ تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها ۷۸
۳-۴-۳ دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده  ۷۹
۳-۵ ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا  ۷۹
۳-۶ انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا ۸۲
۳-۷ تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬حفره¬ها  ۸۳
۳-۸ ملاحظات تابع موج. ۸۶
۳-۹ وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه ۸۷ ۳-۱۰ وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬دار ۸۷

فصل چهارم : نتایج محاسبات   ۸۹
مقدمه ۹۰
۴-۱ محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si  ۹۱
۴-۱-۱ محاسبات نظری ns برحسب Ls  ۹۱
۴-۱-۲ محاسبات نظری ns برحسب NA   ۹۶
۴-۱-۳ محاسبات نظری ns برحسب nc  ۹۹
۴-۱-۴ محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls  ۱۰۰
۴-۲ محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار Si/SiGe/Si  ۱۰۰
۴-۲-۱ محاسبات نظری ns برحسب vg  ۱۰۰
۴-۲-۲ بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت  ۱۰۷
۴-۲-۳ بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی ۱۱۴

فصل پنجم : نتایج  ۱۲۴
۵-۱مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si  ۱۲۵
۵-۲ بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه  ۱۲۵
پیوست  ۱۲۹
چکیده انگلیسی (Abstract)  ۱۳۹
منابع ۱۴۱