کد محصول BR21
تعداد صفحات: ۷۰ صفحه فایل WORD
قیمت: ۱۵۰۰۰ تومان
فهرست مطالب
چکیده ۵
مقدمه ۶
فصل اول: تئوری سلف
۱-۱) پارامترهای طراحی سلف ۸
۱-۲) تعاریف ضریب کیفیت (Q) . 8
۱-۳) تعریف فرکانس تشدید . ۹
۱-۴) اثر جریان گردابی . ۱۰
فصل دوم: انواع ساختارهای سلف
۲-۱) مقدمه . ۱۲
۲-۲) سلف های چندلایه بالای هم ۱۲
۲-۳) اصلاح سلف های چندلایه بالای هم . ۱۳
۲-۴) سلف های مارپیچی چندلایه بالای هم کوچک شده روی یک تراشه . . ۱۴
۲-۵) ساختار سلف های چندلایه بالای هم کوچک شده پیشنهادی ۱۷
۲-۶) استخراج فرکانس خود تشدید . ۱۸
۲-۷) مقایسه سلف های چندلایه بالای هم کوچک شده با چندلایه مسطح . ۱۹
۲-۸) سلف های سلنوئیدی . . ۲۰
فصل سوم: روش های بهبود ضریب کیفیت
۳-۱) مقدمه ۲۲
۳-۲) مقایسه ضریب کیفیت و فرکانس تشدید سلف سلنوئیدی عمودی با مارپیچی مسطح با
استفاده از poly PGS ۲۲
۳-۳) استفاده از لایه های فلزی مختلف و فاصله هوایی برای بهبود ضریب کیفیت . ۲۷
فصل چهارم: روش های مدل سازی سلف
۴-۱) مدل سازی سلف های چندلایه بالای هم در تکنولوژی . ۳۲
۴-۲) نتایج مدل سازی سلف های کوچک شده در تکنولوژی ۳۷
۴-۳) مدل سازی سلف سلنوئیدی . . .۴۰
فصل پنجم: بررسی چند نمونه کارهای انجام شده
۵-۱) مجتمع سازی سلف های مارپیچی با زیرلایه های MCM-D . 43
۵-۱-۱) مقدمه ۴۳
۵-۱-۲) تکنولوژی LAP و عملکرد آن ۴۳
۵-۱-۳) اختیارات طراحی . ۴۳
۵-۱-۴) اختیارات طراحی پایه ۴۵
۵-۱-۵) پارامترهای کلی طراحی. . ۴۶
۵-۱-۶) پارامترهای جزئی طراحی. ۴۷
۵-۲) مجتمع سازی سلف های مارپیچی چند سطحی با استفاده از تکنولوژی VLSI . ۴۹
۵-۲-۱) مقدمه . ۴۹
۵-۲-۲) ساختارها و ساختمان سلف . . ۴۹
۵-۳) مجتمع سازی سلف متغیر در تکنولوژیCMOS برای RFIC . . ۵۳
مراجع ۵۵