الگوریتم های شبیه سازی نانوترانزیستور

کد محصول T111

فایلWORD

100 صفحه

15000 تومان

فهرست مطالب
فصل اول:‌ ترانزیستور
1- ترانزیستو ر چیست؟
1-1 اهمیت
2-1 مزایای ترانزیستور بر لامپ خلاء
3-1 تاریخچه 
2- کاربرد
3- عملکرد
4- ساختمان ترانزیستور
5- انواع ترانزیستور
1-5 ترانزیستورهای دو قطعبی پیوندی
2-5 ترانزیستورهای اثر میدانfet 
1-2-5 ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی
2-2-5 ترانزیستورهای اثر میدانmosfet
1-2-2-5 ساختار ترانزیستورnmos
2-2-2-5 ساختار ترانزیستورpmos
فصل دوم: نانو ترانزیستور
فصل سوم: نانولوله های کربنی
1- ویژگی های نانولوله های کربنی
2- انواع نانولوله های کربنی
3-کاربرد نانولوله های کربنی
فصل چهارم:ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله کربنی (cntfet)
1- ویژگی
2- انواع cntfet
فصل پنجم : شبیه سازی
1- تعریف شبیه سازی
2- دسته بندی مدلهای شبیه سازی 
3- شبیه سازی مونت کارلو 
4- کاربردهای شبیه سازی مونت کارلو
5- انتگرال گیری مونت کارلو
1-5 الگوریتمEs
6- روش های مونت کارلو
1-6 انتگرال گیری مونت کرلو
2-6 اهمیت نمونه گیری
3-6 الگوریتم متروپولیس
7- روش مونت کارلو وردشی 
1-7 اصل وردش
2-7 انتگرال گیری مونت کارلو
3-7 انرژیِ موضعی
4-7 تابع موجی ازمایشی
5-7 الگوریتم vmc
8- روش مونت کارلو پخشی
1-8 پیش زمینه
2-8 نمونه گیری اعتبار
3-8 انتقال به فرم انتگرالی
4-8 تقریب fixed-node
1-4-8 بهبود انرژیfixed- node
5-8 الگوریتمdmc
6-8 مقایسه روش پخشی و روش وردشی
فصل ششم: شبیه سازی ترانزیستورهای تک الکترونی
1- مقدمه فصل
2- ویژگی ها.
3- مدلسازی
1-3 نرخ تونل زنی
4-روشهای شبیه سازی
1-4 حل معادله اصلی
1-1-4 استفاده از تکنیک های عددی
2-1-4 روش تحلیلی
2-4روش مونت کارلو
5- مقایسه بین روشها
6- نتیجه شبیه سازی
فصل هفتم: شبیه سازی cntfetبافرمول ویگنر مونت کارلو
1- مقدمه فصل
2-مدلسازی
3- تاثیرولتاژدرین بر ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی
1-3 شیوه شبیه سازی
1-1-3 شیوه بررسی نتایج
2-3 بررسی تاثیر ولتاژدرین
3-3 بررسی سطح ناخالصی سورس/درین
4-3 نتیجه
فصل هشتم: شبیه سازی نانو mosfet
1- ویژگی
2- مدلسازی
3- نتایج شبیه سازی