پارس پروژه پرتال خدمات دانشگاهی
کد محصول T111
فایلWORD
۱۰۰ صفحه
۱۵۰۰۰ تومان
فهرست مطالب
فصل اول: ترانزیستور
۱- ترانزیستو ر چیست؟
۱-۱ اهمیت
۲-۱ مزایای ترانزیستور بر لامپ خلاء
۳-۱ تاریخچه
۲- کاربرد
۳- عملکرد
۴- ساختمان ترانزیستور
۵- انواع ترانزیستور
۱-۵ ترانزیستورهای دو قطعبی پیوندی
۲-۵ ترانزیستورهای اثر میدانfet
۱-۲-۵ ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی
۲-۲-۵ ترانزیستورهای اثر میدانmosfet
۱-۲-۲-۵ ساختار ترانزیستورnmos
۲-۲-۲-۵ ساختار ترانزیستورpmos
فصل دوم: نانو ترانزیستور
فصل سوم: نانولوله های کربنی
۱- ویژگی های نانولوله های کربنی
۲- انواع نانولوله های کربنی
۳-کاربرد نانولوله های کربنی
فصل چهارم:ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله کربنی (cntfet)
۱- ویژگی
۲- انواع cntfet
فصل پنجم : شبیه سازی
۱- تعریف شبیه سازی
۲- دسته بندی مدلهای شبیه سازی
۳- شبیه سازی مونت کارلو
۴- کاربردهای شبیه سازی مونت کارلو
۵- انتگرال گیری مونت کارلو
۱-۵ الگوریتمEs
۶- روش های مونت کارلو
۱-۶ انتگرال گیری مونت کرلو
۲-۶ اهمیت نمونه گیری
۳-۶ الگوریتم متروپولیس
۷- روش مونت کارلو وردشی
۱-۷ اصل وردش
۲-۷ انتگرال گیری مونت کارلو
۳-۷ انرژیِ موضعی
۴-۷ تابع موجی ازمایشی
۵-۷ الگوریتم vmc
۸- روش مونت کارلو پخشی
۱-۸ پیش زمینه
۲-۸ نمونه گیری اعتبار
۳-۸ انتقال به فرم انتگرالی
۴-۸ تقریب fixed-node
۱-۴-۸ بهبود انرژیfixed- node
۵-۸ الگوریتمdmc
۶-۸ مقایسه روش پخشی و روش وردشی
فصل ششم: شبیه سازی ترانزیستورهای تک الکترونی
۱- مقدمه فصل
۲- ویژگی ها.
۳- مدلسازی
۱-۳ نرخ تونل زنی
۴-روشهای شبیه سازی
۱-۴ حل معادله اصلی
۱-۱-۴ استفاده از تکنیک های عددی
۲-۱-۴ روش تحلیلی
۲-۴روش مونت کارلو
۵- مقایسه بین روشها
۶- نتیجه شبیه سازی
فصل هفتم: شبیه سازی cntfetبافرمول ویگنر مونت کارلو
۱- مقدمه فصل
۲-مدلسازی
۳- تاثیرولتاژدرین بر ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی
۱-۳ شیوه شبیه سازی
۱-۱-۳ شیوه بررسی نتایج
۲-۳ بررسی تاثیر ولتاژدرین
۳-۳ بررسی سطح ناخالصی سورس/درین
۴-۳ نتیجه
فصل هشتم: شبیه سازی نانو mosfet
۱- ویژگی
۲- مدلسازی
۳- نتایج شبیه سازی