این فایل موجود نیست فهرست مطالب صرفا جهت آشنایی دانشجویان از سر فصل هایمقاله ارائه شده است
فهرست مطالب
پیشگفتار
فصل اول: ترابرد حامل¬ها
مقدمه ۶
۱-۱ ساختار نوار رسانش سیلیسیوم ۷
۱-۱-۱ ساختار نواری (۱۰۰)SI در لایه وارونی ۸
۱-۲ گاز الکترون دو بعدی ۹
۱-۳ چاه کوانتومی ۱۱
۱-۴ ترابرد حامل ۱۲
۱-۵ تحرک¬پذیری حامل ۱۳
۱-۵-۱ خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان¬های ضعیف ۱۴
۱-۵-۲ خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان¬های خیلی بالا ۱۹
فصل دوم: فرمول¬بندی تحرک در میدانهای متوسط در نیم¬رساناهای چند لایه¬ای
مقدمه ۲۷
۲-۱ تاریخچه¬ای از مطالعات انجام شده بر روی خصوصیات ترابرد۲DEG در دماهای پایین ۲۸
۲-۲ ویژگی¬های ترابرد در دماهای پایین شبکه ۲۹
۲-۳ احتمال پراکندگی فونون اکوستیکی درون دره¬ای ۳۰
۲-۴ محاسبه تحرک وابسته به میدان ۳۴
۲-۴-۱ خصوصیات تحرک میدان ضعیف در تقریب دمای مؤثر ۳۴
۲-۴-۲ فرمول¬بندی تحرک میدان ضعیف با استفاده از معادله¬ی بولتزمن ۳۸
فصل سوم: نتایج و محاسبات
مقدمه ۴۷
۳-۱ محاسبه تغییرات تحرک¬پذیری با فرض دمای مؤثر وابسته به میدان الکترون¬های غیر تعادلی ۴۸
۳-۱-۱ نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک¬پذیری نسبت به دمای الکترون در دماهای مختلف شبکه ۴۸
۳-۱-۲ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه ۵۱
۳-۱-۳ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجارشده نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه ۵۳
۳-۱-۴ نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک¬پذیری نسبت به دمای الکترون در غلظت¬های مختلف ۵۵
۳-۱-۵ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت¬های مختلف الکترونی ۵۸
۳-۱-۶ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در غلظت¬های الکترونی مختلف ۵۹
۳-۲ محاسبه تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی ۶۱
۳-۲-۱ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان در دماهای شبکه مختلف ۶۱
۳-۲-۲ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در دماهای مختلف شبکه ۶۳
۳-۲-۳ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان در غلظت¬های الکترونی مختلف ۶۴
۳-۲-۴ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در غلظت¬های الکترونی مختلف ۶۶
۳-۳ محاسبه تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی از حل معادله بولتزمن به روش عددی ۶۷
۳-۳-۱ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه ۶۸
۳-۳-۲ نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت¬های الکترونی مختلف ۶۹
۳-۴ مقایسه نتیجه تجربی با نتیجه از حاصل از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی ۷۱
۳-۵ بحث و نتیجه¬گیری ۷۲
مراجع ۷۵
فهرست شکل¬ها
شکل (۱-۱-الف): ساختار نوار رسانش Si 7
شکل (۱-۱-ب): سطح ثابت انرژی نوار رسانش Si با شش دره در جهت [۱۰۰] در فضای ممنتم ۸
شکل(۱-۲): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در مادفت¬ها ۱۰
شکل (۱-۳): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در ماسفت¬ها ۱۰
شکل (۱-۴): چاه کوانتومی منفرد ۱۱
شکل (۱-۵): تحرک وابسته به دما در میدان¬های ضعیف ۱۸
شکل (۱-۶):مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حاملهای غیر تعادلی در دماهای شبکه ۱۳، ۲۵، ۴۰، ۶۰، ۷۷ و ۱۰۰ کلوین در ناحیهی میدان خیلی بالا نمونه Si. 22
شکل (۱-۷): تحرک بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی بهنجار شده برای نمونه Si در دمای شبکه ۱۳. خط پر تحرک محاسبه شده به وسیله¬ی لی و تینگ و نقاط مربوط به تحرک تجربی است ۲۳
شکل (۱-۸): مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حامل غیر تعادلی در دمای شبکه ۲/۴ کلوین در ناحیه میدان قوی ۲۴
شکل (۲-۱): وابستگی سرعت پراکندگی به انرژی حامل در دماهای شبکه متفاوت برای یک ۲DEG در لایه(۱۰۰) Si با . منحنی¬های a و b و c به ترتیب در دماهای ۱و۴و۲۰ می¬باشند . ۳۳
شکل (۳-۱): نمایی از نمونه به کار گرفته شده برای انجام محاسبات ۴۸
شکل(۳-۲): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 49
شکل (۳-۳): نمودار تغییرات میدان بر حسب دمای الکترون در Si(4) 49
شکل(۳-۴): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(2) 50
شکل(۳-۵): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(4) 50
شکل(۳-۶): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 52
شکل (۳-۷): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 52
شکل (۳-۸): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 53
شکل (۳-۹): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 54
شکل(۳-۱۰): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 56
شکل(۳-۱۱): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(4) 56
شکل(۳-۱۲): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بر حسب دمای الکترون در Si(2) 57
شکل(۳-۱۳): نمودار تغییرات تحرک بر حسب دمای الکترون در Si(4) 57
شکل (۳-۱۴): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 58
شکل (۳-۱۵): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 59
شکل(۳-۱۶): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 60
شکل(۳-۱۷): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 60
شکل (۳-۱۸): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 62
شکل (۳-۱۹): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 62
شکل (۳-۲۰): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی درSi(2) 63
شکل(۳-۲۱): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 64
شکل (۳-۲۲): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 65
شکل (۳-۲۳): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 65
شکل(۳-۲۴): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 66
شکل(۳-۲۵): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 67
شکل (۳-۲۶): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 68
شکل (۳-۲۷): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 69
شکل (۳-۲۸): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 70
شکل (۳-۲۹): نمودار تغییرات تحرک¬پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 71
شکل(۳-۳۰): مقایسه مدل نظری با مدل تجربی. خط پر نتیجه حاصل از تئوری و نقاط توخالی نتیجه حاصل از تجربه در دمای K 13. 72