اطلاعیه

ترابرد حامل ها و تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در نیم رساناهای چند لایه ای

متن کامل مقاله موجود نیست

فهرست

پیشگفتار ۱
فصل اول: ترابرد حامل ها
مقدمه ۶
۱-۱ ساختار نوار رسانش سیلیسیوم ۷
۱-۱-۱ ساختار نواری (۱۰۰)SI در لایه وارونی ۸
۱-۲ گاز الکترون دو بعدی ۹
۱-۳ چاه کوانتومی ۱۱
۱-۴ ترابرد حامل ۱۲
۱-۵ تحرک پذیری حامل ۱۳
۱-۵-۱ خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های ضعیف ۱۴
۱-۵-۲ خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های خیلی بالا ۱۹

فصل دوم: فرمول بندی تحرک در میدانهای متوسط در نیم رساناهای چند لایه ای
مقدمه ۲۷
۲-۱ تاریخچه ای از مطالعات انجام شده بر روی خصوصیات ترابرد۲DEG  در دماهای پایین ۲۸
۲-۲ ویژگی های ترابرد در دماهای پایین شبکه ۲۹
۲-۳ احتمال پراکندگی فونون اکوستیکی درون دره ای ۳۰
۲-۴ محاسبه تحرک وابسته به میدان ۳۴
۲-۴-۱ خصوصیات تحرک میدان ضعیف در تقریب دمای مؤثر ۳۴
۲-۴-۲ فرمول بندی تحرک میدان ضعیف با استفاده از معادله ی بولتزمن ۳۸

فصل سوم: نتایج و محاسبات
مقدمه ۴۷
۳-۱ محاسبه تغییرات تحرک پذیری با فرض دمای مؤثر وابسته به میدان الکترون های غیر تعادلی ۴۸
۳-۱-۱  نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در دماهای مختلف شبکه ۴۸
۳-۱-۲ نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه ۵۱
۳-۱-۳ نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجارشده نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه ۵۳
۳-۱-۴ نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در غلظت-های مختلف ۵۵
۳-۱-۵ نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های مختلف الکترونی ۵۸
۳-۱-۶ نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف ۵۹
۳-۲ محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی ۶۱
۳-۲-۱ نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در دماهای شبکه مختلف ۶۱
۳-۲-۲ نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در دماهای مختلف شبکه ۶۳
۳-۲-۳ نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف ۶۴
۳-۲-۴ نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف ۶۶
۳-۳ محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی از حل معادله بولتزمن به روش عددی ۶۷
۳-۳-۱ نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف  شبکه ۶۸
۳-۳-۲ نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف ۶۹
۳-۴ مقایسه نتیجه تجربی با نتیجه از حاصل از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی ۷۱
۳-۵ بحث و نتیجه گیری ۷۲
مراجع ۷۵

فهرست شکل ها
شکل (۱-۱-الف): ساختار نوار رسانش Si ۷
شکل (۱-۱-ب): سطح ثابت انرژی نوار رسانش Si با شش دره در جهت [۱۰۰] در فضای ممنتم ۸
شکل(۱-۲): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در مادفت ها ۱۰
شکل (۱-۳): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در ماسفت ها ۱۰
شکل (۱-۴): چاه کوانتومی منفرد ۱۱
شکل (۱-۵): تحرک وابسته به دما در میدان های ضعیف ۱۸
شکل (۱-۶):مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حاملهای غیر تعادلی در دماهای شبکه ۱۳، ۲۵، ۴۰، ۶۰، ۷۷ و ۱۰۰ کلوین در ناحیهی میدان خیلی بالا نمونه Si. ۲۲
شکل (۱-۷): تحرک بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی بهنجار شده برای نمونه Si در دمای شبکه  ۱۳. خط پر تحرک محاسبه شده به وسیله ی لی و تینگ و نقاط مربوط به تحرک تجربی است ۲۳
شکل (۱-۸): مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حامل غیر تعادلی در دمای شبکه ۲/۴ کلوین در ناحیه میدان قوی ۲۴
شکل (۲-۱): وابستگی سرعت پراکندگی به انرژی حامل در دماهای شبکه متفاوت برای یک ۲DEG  در لایه(۱۰۰) Si با  . منحنی های a و b و c به ترتیب در دماهای ۱و۴و۲۰ می-باشند. ۳۳
شکل (۳-۱): نمایی از نمونه به کار گرفته شده برای انجام محاسبات ۴۸
شکل(۳-۲): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) ۴۹
شکل (۳-۳): نمودار تغییرات میدان بر حسب دمای الکترون در Si(4) ۴۹
شکل(۳-۴): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(2) ۵۰
شکل(۳-۵): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(4) ۵۰
شکل(۳-۶): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) ۵۲
شکل (۳-۷): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) ۵۲
شکل (۳-۸): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) ۵۳
شکل (۳-۹): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در  Si(4) ۵۴
شکل(۳-۱۰): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) ۵۶
شکل(۳-۱۱): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(4) ۵۶
شکل(۳-۱۲): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب دمای الکترون در Si(2) ۵۷
شکل(۳-۱۳): نمودار تغییرات تحرک بر حسب دمای الکترون در Si(4) ۵۷
شکل (۳-۱۴): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) ۵۸
شکل (۳-۱۵): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) ۵۹
شکل(۳-۱۶): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) ۶۰
شکل(۳-۱۷): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) ۶۰
شکل (۳-۱۸): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) ۶۲
شکل (۳-۱۹): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) ۶۲
شکل (۳-۲۰): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی درSi(2) ۶۳
شکل(۳-۲۱): نمودار تغییرات تحرکپذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) ۶۴
شکل (۳-۲۲): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) ۶۵
شکل (۳-۲۳): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) ۶۵
شکل(۳-۲۴): نمودار تغییرات تحرکپذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) ۶۶
شکل(۳-۲۵): نمودار تغییرات تحرکپذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) ۶۷
شکل (۳-۲۶): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) ۶۸
شکل (۳-۲۷): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) ۶۹
شکل (۳-۲۸): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) ۷۰
شکل (۳-۲۹): نمودار تغییرات تحرکپذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) ۷۱
شکل(۳-۳۰): مقایسه مدل نظری با مدل تجربی. خط پر نتیجه حاصل از تئوری و نقاط توخالی نتیجه حاصل از تجربه در دمای K 13. ۷۲

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

Time limit is exhausted. Please reload the CAPTCHA.