پارس پروژه پرتال خدمات دانشگاهی
کد محصول T29
فایلWORD
۱۰۰ صفحه
۱۵۰۰۰ تومان
چکیده :
در این تحقیق سعی بر بررسی چند نمونه از الگوریتم های شبیه سازی ترانزیستورهاداریم بدین منظورابتدا مسائل پایه اورده شده و سپس الگوریتم شبیه سازی چند نوع ترانزیستور را اورده ایم .
در فصل اول به معرفی ترا نزیستور ٬تاریخچه٬ طرز کار آن و انواع ترانزیستورپرداختیم همچنین انواع ترازیستور که شامل ترانزیستورهایBJT وترانزیستورهایFET می باشد تشریح شده ونحوه عملکرد و ساختمان ان ها توضیح داده شده است.
در فصل دوم به معرفی نانوترانزیستورواهمیت ساخته شدن آن پرداختیم. همانطور که می دانید ترانزیستورها عناصری اساسی و ضروری در لوازم الکتریکی هستند که جریان ضعیف الکتریکی را تقویت می کنندامروزه ترانزیستورها یی ساخته اند که از فن آوری نانو بهره می برند. این نوع ترانزیستورها می تواند به عنوان مثال مصرف انرژی را در تلفن های همراه و کامپیوترها کاهش دهد بدین ترتیب این لوازم نیاز نخواهند داشت که دفعات زیادی شارژ شوند. بعلاوه این ترانزیستور می تواند ارتباطات را در فرکانس هایی که برای فن آوری امروزی بسیار بالا تصور می شوند، سهولت بخشند.
باتوجه به اینکه برای ساخت نانوترانزیستور ها از نانولوله های کربنی استفاده می شود در فصل سوم را به معرفی این نانولوله ها پرداختیم.دراین فصل انواع نانولوله ها(تک جداره –چندجداره)معرفی و با هم مقایسه شدند همچنبن کاربردهای نانو لوله ها همچون ذخیره سازی هیدروژن٬ فرایند گوگرد زدایی٬ تهیه الیاف٬ نانو کامپوزیت ها٬ کاربردهای ان در پزشکی وصنعت نفت توضیح داده شد.
در فصل چهارم توضیح مختصری درمورد ترانزیستورهای اثرمیدان نانو لوله کربنی (CNTFET)داده ایم
در فصل پنجم شبیه سازی را تعریف کردیم سپس شبیه سازی مونت کارلو انواع و تاریخچه ان را توضیح دادیم و در ادامه به معرفی کاربردهای شبیه سازی مونت کارلودر زمینه های مختلف پرداختیم سپس انتگرال گیری مونت کارلو را که یکی از مهمترین کاربرهای ان است به طور مفصل شرح دادیم.و سپس به بررسی دو روش مونت کارلو وردشی ومونت کارلوپخشی پرداختیم ودر پایان مقایسه ای بین این دوروش مونت کارلو انجام شده است.
فصل ششم: به شبیه سازی ترانزیستورهای تک الکترون اختصاص یافته که مبتنی بر قضیه ارتودکس هستند. این نوع ترانزیستور با دو روش معادله اصلی و مونت کارلو شبیه سازی شده است که در روش معادله اصلی نیز دو روش تکنیک های ددی و روش تحلیلی مورد بحث قرار گرفته است.
در فصل هفتم: یک نمونه از انتگرال گیری CNTFETها که از فرمول ویگنر مونت کارلو استفاده کرده است اورده شده و مقایس ای اجمالی بین دو روش کوانتومی ونیمه کلاسیک انجام شده است.
در فصل هفتم به توضیح شبیه سازی نانو MOSFET که ار تابع گرین غیر تعادلی استفاده کرده پرداختیم این روش با حل معادله جفت شده پواسن و شرویدینگر شبیه سازی شده است
در پایان نیز منابعی که در این تحقیق مورد استفاده قرار گرفته است اورده شده تا در صورت نیاز به اگاهی بیشتر خوانندگان عزیز به انها مراجعه کنند.
کلمات کلیدی: ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله کربنی(cntfet) ٬mosfet ٬ترانزیستورهای تک الکترونی٬شبیه سازی مونت کارلو٬نانوترانزیستور٬نانولوله های کربنی ٬ نامعادله گرین.
فهرست:
فصل اول: ترانزیستور
۱- ترانزیستو ر چیست؟
۱-۱ اهمیت
۲-۱ مزایای ترانزیستور بر لامپ خلاء
۳-۱ تاریخچه
۲- کاربرد
۳- عملکرد
۴- ساختمان ترانزیستور
۵- انواع ترانزیستور
۱-۵ ترانزیستورهای دو قطعبی پیوندی
۲-۵ ترانزیستورهای اثر میدانfet
۱-۲-۵ ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی
۲-۲-۵ ترانزیستورهای اثر میدانmosfet
۱-۲-۲-۵ ساختار ترانزیستورnmos
۲-۲-۲-۵ ساختار ترانزیستورpmos
فصل دوم: نانو ترانزیستور
فصل سوم: نانولوله های کربنی
۱- ویژگی های نانولوله های کربنی
۲- انواع نانولوله های کربنی
۳-کاربرد نانولوله های کربنی
فصل چهارم:ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله کربنی (cntfet)
۱- ویژگی
۲- انواع cntfet
فصل پنجم : شبیه سازی
۱- تعریف شبیه سازی
۲- دسته بندی مدلهای شبیه سازی
۳- شبیه سازی مونت کارلو
۴- کاربردهای شبیه سازی مونت کارلو
۵- انتگرال گیری مونت کارلو
۱-۵ الگوریتمEs
۶- روش های مونت کارلو
۱-۶ انتگرال گیری مونت کرلو
۲-۶ اهمیت نمونه گیری
۳-۶ الگوریتم متروپولیس
۷- روش مونت کارلو وردشی
۱-۷ اصل وردش
۲-۷ انتگرال گیری مونت کارلو
۳-۷ انرژیِ موضعی
۴-۷ تابع موجی ازمایشی
۵-۷ الگوریتم vmc
۸- روش مونت کارلو پخشی
۱-۸ پیش زمینه
۲-۸ نمونه گیری اعتبار
۳-۸ انتقال به فرم انتگرالی
۴-۸ تقریب fixed-node
۱-۴-۸ بهبود انرژیfixed- node
۵-۸ الگوریتمdmc
۶-۸ مقایسه روش پخشی و روش وردشی
فصل ششم: شبیه سازی ترانزیستورهای تک الکترونی
۱- مقدمه فصل
۲- ویژگی ها.
۳- مدلسازی
۱-۳ نرخ تونل زنی
۴-روشهای شبیه سازی
۱-۴ حل معادله اصلی
۱-۱-۴ استفاده از تکنیک های عددی
۲-۱-۴ روش تحلیلی
۲-۴روش مونت کارلو
۵- مقایسه بین روشها
۶- نتیجه شبیه سازی
فصل هفتم: شبیه سازی cntfetبافرمول ویگنر مونت کارلو
۱- مقدمه فصل
۲-مدلسازی
۳- تاثیرولتاژدرین بر ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی
۱-۳ شیوه شبیه سازی
۱-۱-۳ شیوه بررسی نتایج
۲-۳ بررسی تاثیر ولتاژدرین
۳-۳ بررسی سطح ناخالصی سورس/درین
۴-۳ نتیجه
فصل هشتم: شبیه سازی نانو mosfet
۱- ویژگی
۲- مدلسازی
۳- نتایج شبیه سازی