پارس پروژه (پرتال پروژه های دانشگاهی)

FZ12- مشخصات تحرک وابسته به میدان گاز الکترون دو بعدی در برهمکنش با فونونهای اکوستیکی درون دره ای

کد محصول FZ12

فایل WORD

80 صفحه

20000 تومان

فهرست

پیشگفتار 1
فصل اول: ترابرد حامل ها
مقدمه 6
1-1 ساختار نوار رسانش سیلیسیوم 7
1-1-1 ساختار نواری (100)SI در لایه وارونی 8
1-2 گاز الکترون دو بعدی 9
1-3 چاه کوانتومی 11
1-4 ترابرد حامل 12
1-5 تحرک پذیری حامل 13
1-5-1 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های ضعیف 14
1-5-2 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های خیلی بالا 19

فصل دوم: فرمول بندی تحرک در میدانهای متوسط در نیم رساناهای چند لایه ای
مقدمه 27
2-1 تاریخچه ای از مطالعات انجام شده بر روی خصوصیات ترابرد2DEG  در دماهای پایین 28
2-2 ویژگی های ترابرد در دماهای پایین شبکه 29
2-3 احتمال پراکندگی فونون اکوستیکی درون دره ای 30
2-4 محاسبه تحرک وابسته به میدان 34
2-4-1 خصوصیات تحرک میدان ضعیف در تقریب دمای مؤثر 34
2-4-2 فرمول بندی تحرک میدان ضعیف با استفاده از معادله ی بولتزمن 38

فصل سوم: نتایج و محاسبات
مقدمه 47
3-1 محاسبه تغییرات تحرک پذیری با فرض دمای مؤثر وابسته به میدان الکترون های غیر تعادلی 48
3-1-1  نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در دماهای مختلف شبکه 48
3-1-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 51
3-1-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجارشده نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 53
3-1-4 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در غلظت-های مختلف 55
3-1-5 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های مختلف الکترونی 58
3-1-6 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 59
3-2 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 61
3-2-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در دماهای شبکه مختلف 61
3-2-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در دماهای مختلف شبکه 63
3-2-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 64
3-2-4 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 66
3-3 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی از حل معادله بولتزمن به روش عددی 67
3-3-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف  شبکه 68
3-3-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 69
3-4 مقایسه نتیجه تجربی با نتیجه از حاصل از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 71
3-5 بحث و نتیجه گیری 72
مراجع 75


فهرست شکل ها
شکل (1-1-الف): ساختار نوار رسانش Si 7
شکل (1-1-ب): سطح ثابت انرژی نوار رسانش Si با شش دره در جهت [100] در فضای ممنتم 8
شکل(1-2): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در مادفت ها 10
شکل (1-3): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در ماسفت ها 10
شکل (1-4): چاه کوانتومی منفرد 11
شکل (1-5): تحرک وابسته به دما در میدان های ضعیف 18
شکل (1-6):مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حاملهای غیر تعادلی در دماهای شبکه 13، 25، 40، 60، 77 و 100 کلوین در ناحیهی میدان خیلی بالا نمونه Si. 22
شکل (1-7): تحرک بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی بهنجار شده برای نمونه Si در دمای شبکه  13. خط پر تحرک محاسبه شده به وسیله ی لی و تینگ و نقاط مربوط به تحرک تجربی است 23
شکل (1-8): مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حامل غیر تعادلی در دمای شبکه 2/4 کلوین در ناحیه میدان قوی 24
شکل (2-1): وابستگی سرعت پراکندگی به انرژی حامل در دماهای شبکه متفاوت برای یک 2DEG  در لایه(100) Si با  . منحنی های a و b و c به ترتیب در دماهای 1و4و20 می-باشند. 33 
شکل (3-1): نمایی از نمونه به کار گرفته شده برای انجام محاسبات 48
شکل(3-2): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 49
شکل (3-3): نمودار تغییرات میدان بر حسب دمای الکترون در Si(4) 49
شکل(3-4): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(2) 50
شکل(3-5): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(4) 50
شکل(3-6): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 52
شکل (3-7): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 52
شکل (3-8): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 53
شکل (3-9): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در  Si(4) 54
شکل(3-10): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 56
شکل(3-11): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(4) 56
شکل(3-12): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب دمای الکترون در Si(2) 57
شکل(3-13): نمودار تغییرات تحرک بر حسب دمای الکترون در Si(4) 57
شکل (3-14): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 58
شکل (3-15): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 59
شکل(3-16): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 60
شکل(3-17): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 60
شکل (3-18): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 62
شکل (3-19): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 62
شکل (3-20): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی درSi(2) 63
شکل(3-21): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 64
شکل (3-22): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 65
شکل (3-23): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 65
شکل(3-24): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 66
شکل(3-25): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 67
شکل (3-26): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 68
شکل (3-27): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 69
شکل (3-28): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 70
شکل (3-29): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 71
شکل(3-30): مقایسه مدل نظری با مدل تجربی. خط پر نتیجه حاصل از تئوری و نقاط توخالی نتیجه حاصل از تجربه در دمای K 13. 72

چکیده
در این تحقیق با لحاظ انرژی متناهی فونون ها در معادله موازنه انرژی دستگاه الکترون – فونون برای برهمکنش کشسان با فونون های اکوستیکی درون دره ای در دمای پایین، مشخصات تحرک وابسته به میدان الکترون ها در یک گاز الکترون دو بعدی غیر تبهگن سیلیکان محاسبه و رسم گردید.
هم چنین تغییرات تحرک پذیری وابسته به میدان الکترون ها با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی و عددی انجام گرفت. مقادیر به دست آمده بر روی تحرک پذیری وابسته به میدان الکترون ها در یک گاز الکترون دو بعدی غیر تبهگن سیلیکان در دمای پایین با داده های تجربی مقایسه و انطباق قابل قبولی حاصل شد.

 

راهنمای خرید

نحوه ی خرید

1- پرداخت اینترنتی: برای پرداخت اینترنتی اینجا کلیلک کنید

2.کارت به کارت: با استفاده از پایانه های خود پرداز مبلغ محصول را به شماره کارت زیر انتقال داده و سپس  4 رقم آخر کارت،ادرس ایمیل و کد محصول را برای ما پیامک یا ایمیل نمائید  6104337867130005 به نام علی اصغر رحیمی موحد بانک ملت

3: واریز نقدی به شماره حساب  ۱۲۶۰۸۹۳۱۴۵ وسپس شماره فیش ادرس ایمیل و کد محصول  را برای ما پیامک یا ایمیل نمائید

09372555240

این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید